Pengeluar Utama untuk Pad Penapis Wain – Helaian Pracoat&Sokongan untuk bir dan minuman – Great Wall

Kelebihan Khusus

Permukaan kepingan yang teguh untuk meningkatkan hayat kepingan dan penggunaan tugas berat
Permukaan lembaran yang inovatif untuk pelepasan kek yang lebih baik
Sangat tahan lama dan fleksibel
Kapasiti pengekalan serbuk sempurna dan nilai kehilangan titisan terendah
Tersedia sebagai helaian berlipat atau tunggal untuk muat mana-mana saiz dan jenis mesin penapis
Sangat bertolak ansur dengan tekanan sementara semasa kitaran penapisan
Kolokasi fleksibel dengan pelbagai bantuan penapis termasuk, kieselguhr, perlit, karbon teraktif, polyvinylpolyprrolidone (PVPP) dan serbuk rawatan pakar lain

Aplikasi:

Helaian sokongan Great Wall berfungsi untuk industri makanan dan minuman serta aplikasi lain seperti penapisan gula, pada asasnya di mana-mana sahaja di mana kekuatan, keselamatan produk dan ketahanan adalah faktor utama.

Aplikasi utama: Bir, makanan, kimia halus/khusus, kosmetik.

Konstituen Utama

Medium penapis kedalaman siri Great Wall S dibuat hanya daripada bahan selulosa ketulenan tinggi.

Penilaian Pengekalan Relatif

*Angka-angka ini telah ditentukan mengikut kaedah ujian dalaman.
*Prestasi penyingkiran berkesan helaian penapis bergantung pada keadaan proses.

Penjanaan Semula/Backwashin

Jika proses penapisan membenarkan penjanaan semula matriks penapis, helaian penapis boleh dicuci ke hadapan dan belakang dengan air lembut tanpa beban bio untuk meningkatkan jumlah kapasiti penapisan dan dengan itu mengoptimumkan kecekapan ekonomi.

Penjanaan semula dilakukan seperti berikut:

Bilas sejuk
ke arah penapisan
Tempoh lebih kurang 5 minit
Suhu: 59 – 68 °F (15 – 20 °C)

Bilas panas
arah hadapan atau belakang penapisan
Tempoh: kira-kira 10 minit
Suhu: 140 – 176 °F (60 – 80 °C)
Kadar aliran pembilasan hendaklah 1½ daripada kadar aliran penapisan dengan tekanan balas 0.5-1 bar

Sila hubungi Great Wall untuk cadangan tentang proses penapisan khusus anda kerana keputusan mungkin berbeza mengikut produk, pra-penapisan dan keadaan penapisan.